Showing 25 of 300 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CDHVAG20M0K2500JS1
Vishay Intertechnologies
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1 | Array/Network Resistor, Divider, Metal Glaze/thick Film, 1W, 20000000ohm, 3000V, 10% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 2512, CHIP | CDHVAG20M0K2500JS1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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M13S2561616A-4TVAG2A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc
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1 | DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-66 | M13S2561616A-4TVAG2A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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O26.0-JT33V-A-G-2.8-1.4
Jauch Quartz America
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1 | Clipped Sine Output Oscillator, | O26.0-JT33V-A-G-2.8-1.4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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M12L64164A-7BVAG2Y
Elite Semiconductor Memory Technology Inc
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1 | Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, VBGA-54 | M12L64164A-7BVAG2Y |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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M12L64164A-7TVAG2C
Elite Semiconductor Memory Technology Inc
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1 | Synchronous DRAM, | M12L64164A-7TVAG2C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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M12L64164A-7TVAG2Y
Elite Semiconductor Memory Technology Inc
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1 | Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-54 | M12L64164A-7TVAG2Y |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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M14D1G1664A-1.8BVAG2S
Elite Semiconductor Memory Technology Inc
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1 | DDR DRAM, 64MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, BGA-84 | M14D1G1664A-1.8BVAG2S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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M13S128168A-4BVAG2N
Elite Semiconductor Memory Technology Inc
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1 | Synchronous DRAM, 8MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, BGA-60 | M13S128168A-4BVAG2N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VCC6-VAG-27M1200
Vectron International
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1 | LVDS Output Clock Oscillator, 27.12MHz Nom, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-6 | VCC6-VAG-27M1200 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VCC6-VAG-27M1200000
Vectron International
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1 | XO, Clock, 10MHz Min, 350MHz Max, 27.12MHz Nom | VCC6-VAG-27M1200000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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O9.5-JT22SV-A-G-2.8-1.4-LF
Jauch Quartz America
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1 | Clipped Sine Output Oscillator, | O9.5-JT22SV-A-G-2.8-1.4-LF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VCC6-VAG-225M00000
Vectron International
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1 | LVDS Output Clock Oscillator, 225MHz Nom, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-6 | VCC6-VAG-225M00000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CDHVAG20M0M2500HSF
Vishay Intertechnologies
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1 | Array/Network Resistor, Divider, Metal Glaze/thick Film, 1W, 20000000ohm, 3000V, 20% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 2512, CHIP | CDHVAG20M0M2500HSF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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O26.0-JT22SV-A-G-2.8-1.5
Jauch Quartz America
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1 | Clipped Sine Output Oscillator, | O26.0-JT22SV-A-G-2.8-1.5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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M12L64164A-6TVAG2Y
Elite Semiconductor Memory Technology Inc
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1 | Synchronous DRAM, 4MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-54 | M12L64164A-6TVAG2Y |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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M14D5121632A-1.8BVAG2A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc
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1 | DDR DRAM, | M14D5121632A-1.8BVAG2A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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O52.0-JT22SV-A-G-2.5-1.5
Jauch Quartz America
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1 | Clipped Sine Output Oscillator, | O52.0-JT22SV-A-G-2.5-1.5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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M13S128168A-4TVAG2N
Elite Semiconductor Memory Technology Inc
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1 | Synchronous DRAM, 8MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-66 | M13S128168A-4TVAG2N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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O8.0-JT33V-A-G-2.5-1.4
Jauch Quartz America
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1 | Clipped Sine Output Oscillator, | O8.0-JT33V-A-G-2.5-1.4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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O26.0-JT22SV-A-G-2.8-0.9-
Jauch Quartz America
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1 | TCVCXO, Sine, | O26.0-JT22SV-A-G-2.8-0.9- |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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O52.0-JT22SV-A-G-2.8-1.4
Jauch Quartz America
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1 | Clipped Sine Output Oscillator, | O52.0-JT22SV-A-G-2.8-1.4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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O52.0-JT22SV-A-G-2.5-0.9-LF
Jauch Quartz America
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1 | Clipped Sine Output Oscillator, | O52.0-JT22SV-A-G-2.5-0.9-LF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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M13S128168A-5BVAG2N
Elite Semiconductor Memory Technology Inc
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1 | Synchronous DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, BGA-60 | M13S128168A-5BVAG2N |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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O26.0-JT22SV-A-G-2.8-0.9-LF
Jauch Quartz America
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1 | TCVCXO, Sine, | O26.0-JT22SV-A-G-2.8-0.9-LF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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M12L128168A-6TVAG2N
Elite Semiconductor Memory Technology Inc
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1 | Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-54 | M12L128168A-6TVAG2N |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||