Showing 25 of 124 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR2905TRPBF
Infineon
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1 | INFINEON - IRLR2905TRPBF - Power MOSFET, N Channel, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Surface Mount | Other | IRLR2905TRPBF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR2908PBF
Infineon
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1 | Infineon IRLR2908PBF N-channel MOSFET, 39 A, 80 V HEXFET, 3-Pin DPAK | Other | IRLR2908PBF |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR2705PBF
Infineon
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1 | N-Channel 55 V 28A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount D-Pak | Other | IRLR2705PBF |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRLR2905ZTRL
Infineon
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1 | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms | Other | AUIRLR2905ZTRL |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR2705
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 55V, 0.051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3 | IRLR2705 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR2703TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3 | IRLR2703TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR230A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | IRLR230A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR2905ZTRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 | IRLR2905ZTRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR2703TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 | IRLR2703TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR210ATM
Rochester Electronics LLC
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1 | 2.7A, 200V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | IRLR210ATM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR2908
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 80V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3 | IRLR2908 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR2703TRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3 | IRLR2703TRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR2905ZTRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3 | IRLR2905ZTRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR2703PBF
Infineon
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1 | International Rectifier IRLR2703PBF N-channel MOSFET Transistor, 23 A, 30 V, 3-Pin DPAK | IRLR2703PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR2905TRLPBF
Infineon
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1 | Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | IRLR2905TRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR224
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 250V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | IRLR224 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR2908TRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 80V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 | IRLR2908TRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR230ATM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | IRLR230ATM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR210A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | IRLR210A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR2905
Infineon
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1 | N-channel MOSFET,IRLR2905 42A 55V | IRLR2905 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR220ATM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | IRLR220ATM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR230A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | IRLR230A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR2703
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3 | IRLR2703 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR220
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | IRLR220 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLR230
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | IRLR230 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||