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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1945-01L
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 900V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1945-01L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1962
Panasonic Electronic Components
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET | 2SK1962 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK197YCTR
Hitachi Ltd
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel | 2SK197YCTR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1908
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1908 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1909SMP-FD
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1909SMP-FD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1909DR
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1909DR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1919(L)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1919(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1920FA
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1920FA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK197YDTL
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel | 2SK197YDTL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1958
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 16V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1958 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1929(2-10S1B)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 900V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1929(2-10S1B) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1921-RA
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 250V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK1921-RA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1928
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1928 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1958-A
NEC Electronics Group
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 16V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1958-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1906-RA
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK1906-RA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1944-01
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 900V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1944-01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1950L
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1950L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1909SMP
SANYO Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1909SMP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1934
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1000V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1934 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1920TP
SANYO Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 250V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1920TP |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1969-01
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1969-01 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1929TE24L
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 5 A, 900 V, 2.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power | 2SK1929TE24L |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK194M
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Junction FET | 2SK194M |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1925-CA
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218 | 2SK1925-CA |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1919(S)TL
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1919(S)TL |
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