Showing 25 of 1575 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2796S
Hitachi Ltd
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1 | 0.25ohm, POWER, FET | 2SK2796S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2791TP
SANYO Electric Co Ltd
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1 | 4000mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TP, 4 PIN | 2SK2791TP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2775
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2775 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2724
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2724 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2710A
Sanken Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2710A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2719(F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2719(F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2700
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 4.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2700 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2767-01
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 900V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2767-01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2760-01
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2760-01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2762-01S
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2762-01S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2794CXUB
Hitachi Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2794CXUB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2797
Panasonic Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2797 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2713
ROHM Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 450V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2713 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2763-01
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2763-01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2776(SM)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2776(SM) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2798-4000
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 350V, 0.83ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2798-4000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2782(2-7B1B)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2782(2-7B1B) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2788VYTR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2788VYTR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK277
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 350V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK277 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2752WV-UL
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.008A I(D), 6V, 1-Element, N-Channel, Gallium Arsenide | 2SK2752WV-UL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2768-01S
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 900V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2768-01S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2794CX
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2794CX |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2748
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2748 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2751
Panasonic Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236 | 2SK2751 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2735(S)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2735(S) |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||