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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67042-S4184
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | Q67042-S4184 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67040-S4566
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | Q67040-S4566 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67041-A4692-A001
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES | Q67041-A4692-A001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67041-A4686-A003
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES | Q67041-A4686-A003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67040-S4550
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | Q67040-S4550 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67040-S4595
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 9.6A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC | Q67040-S4595 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67041-A4665-A002
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES | Q67041-A4665-A002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67040-S4597
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 9.6A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB | Q67040-S4597 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67040-S4420
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 600V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | Q67040-S4420 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67040-S4392
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 600V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | Q67040-S4392 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67042-S4070
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | Q67042-S4070 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67040-S4120-A2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | Q67040-S4120-A2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67041-A2825-A001
Infineon Technologies AG
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, 600V V(RRM), Silicon | Q67041-A2825-A001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67041-A4672-A003
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES | Q67041-A4672-A003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67041-A4700-A001
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES | Q67041-A4700-A001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67041-A4664-A001
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES | Q67041-A4664-A001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67040-S4491
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 600V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | Q67040-S4491 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67041-A4667-A002
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES | Q67041-A4667-A002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67040-S4112-A2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | Q67040-S4112-A2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67040-S4408
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | Q67040-S4408 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67040-S4407
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | Q67040-S4407 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67041-A4694-A001
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES | Q67041-A4694-A001 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67040-S4396
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | Q67040-S4396 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67041-A4665-A001
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES | Q67041-A4665-A001 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67041-A4703-A003
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES | Q67041-A4703-A003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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