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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15P10L-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UTT15P10L-TN3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT150N06HG-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 60V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-220AB | UTT150N06HG-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT150N06HL-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 60V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-220AB | UTT150N06HL-TA3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT150N06L-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 60V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT150N06L-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15P06L-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.09ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | UTT15P06L-TM3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15N06L-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | UTT15N06L-TQ2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15N06G-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | UTT15N06G-TQ2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15P10G-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT15P10G-TA3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT150N06HG-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 60V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-263AB | UTT150N06HG-TQ2-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT150N06HL-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 60V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-263AB | UTT150N06HL-TQ2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15N10ML-Q-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.203ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT15N10ML-Q-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT150N06G-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 60V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT150N06G-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15N10MG-Q-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.203ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT15N10MG-Q-TF2-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15N03G-K08-3030-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | UTT15N03G-K08-3030-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15N05G-S08-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | UTT15N05G-S08-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15N03G-S08-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT15N03G-S08-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15N06L-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UTT15N06L-TN3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15N06L-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | UTT15N06L-TQ2-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15N05L-S08-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | UTT15N05L-S08-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15N10G-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT15N10G-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15N10ML-Q-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.203ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT15N10ML-Q-TF1-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15N10L-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT15N10L-TA3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15N10ML-Q-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.203ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UTT15N10ML-Q-TN3-R |
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UTT15P06L-TN3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel | UTT15P06L-TN3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15P10L-AA3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT15P10L-AA3-R |
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