Showing 25 of 218 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFBE20-019PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE20-019PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFBE22-012PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | 1.6A, 800V, 7.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFBE22-012PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFBE30
Vishay Intertechnologies
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE30 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFBE22-010
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE22-010 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFBE22-013
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE22-013 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFBE22-001
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE22-001 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFBE32-013PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 800V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE32-013PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFBE30-019PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE30-019PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFBE32-002
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 800V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE32-002 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFBE30-029
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE30-029 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFBE22-004
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE22-004 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFBE20-006PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE20-006PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFBE22-011
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE22-011 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFBE22-012PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE22-012PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFBE20-011PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE20-011PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFBE32-003PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | 2.8A, 800V, 3.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFBE32-003PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFBE32-002
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 800V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE32-002 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFBE32-005
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 800V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE32-005 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFBE22-005
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE22-005 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFBE22-006PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | 1.6A, 800V, 7.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFBE22-006PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFBE22-005
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE22-005 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFBE32-001PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | 2.8A, 800V, 3.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFBE32-001PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFBE30-002PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE30-002PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFBE32-012
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 800V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE32-012 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFBE30-011
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE30-011 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||