Showing 25 of 175 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSF040120L4A1
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 1200V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | NSF040120L4A1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSF030120D7A0-QJ
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor | NSF030120D7A0-QJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSF030120D7A0
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 1200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | NSF030120D7A0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSF03A20TE16R
Nihon Inter Electronics Corporation
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.61A, 200V V(RRM), Silicon | NSF03A20TE16R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSF0806-R82-KHF
YAGEO Corporation
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1 | General Purpose Inductor, 0.82uH, 10%, 1 Element, Iron-Core, 3232 | NSF0806-R82-KHF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSF0806-R80-JHF
YAGEO Corporation
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1 | General Purpose Inductor, 0.8uH, 5%, 1 Element, Iron-Core, 3232 | NSF0806-R80-JHF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSF0808-1R0-NHF
YAGEO Corporation
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1 | General Purpose Inductor, 1uH, 30%, 1 Element, Ferrite-Core, 3234 | NSF0808-1R0-NHF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSF0806-R56-KHF
YAGEO Corporation
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1 | General Purpose Inductor, 0.56uH, 10%, 1 Element, Iron-Core, 3232 | NSF0806-R56-KHF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSF040120T2A1J
Nexperia
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1 | 1200 V, 40 mΩ, N-channel SiC MOSFET | Other | NSF040120T2A1J |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSF080120L4A0Q
Nexperia
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1 | N-Channel 1200 V 35A (Tc) 183W (Tc) Through Hole TO-247 | Other | NSF080120L4A0Q |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSF03A20TE16R
KYOCERA Corporation
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.61A, 200V V(RRM), Silicon | NSF03A20TE16R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSF030120L4A0Q
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor | NSF030120L4A0Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSF080120D7A0
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 1200V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | NSF080120D7A0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSF040120D7A1J
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor | NSF040120D7A1J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSF017120L4A0
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor | NSF017120L4A0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSF03A20TE16L
Nihon Inter Electronics Corporation
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.61A, 200V V(RRM), Silicon | NSF03A20TE16L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSF0806-R60-LHF
YAGEO Corporation
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1 | General Purpose Inductor, 0.6uH, 15%, 1 Element, Iron-Core, 3232 | NSF0806-R60-LHF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSF0806-1R0M-HF
YAGEO Corporation
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1 | General Purpose Inductor, 1uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, 3232 | NSF0806-1R0M-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSF0806-R80-PHF
YAGEO Corporation
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1 | General Purpose Inductor, 0.8uH, 25%, 1 Element, Iron-Core, 3232 | NSF0806-R80-PHF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSF040120D7A1-QJ
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor | NSF040120D7A1-QJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSF017120T2A0
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 122A I(D), 1200V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | NSF017120T2A0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSF040120D7A0
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 1200V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | NSF040120D7A0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSF017120L4A0-Q
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor | NSF017120L4A0-Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSF030120T2A0J
Nexperia
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1 | 1200 V, 30 mOhm, N-channel SiC MOSFET | Other | NSF030120T2A0J |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSF03A20TE16L
KYOCERA Corporation
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.61A, 200V V(RRM), Silicon | NSF03A20TE16L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||