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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCZ2512T03G005%I
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 3000000000ohm, 2500V, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, 2512, CHIP, ROHS COMPLIANT | HVCZ2512T03G005%I |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCS2512T03G9010%I
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 3.9e+09ohm, 2500V, 10% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, 2512 | HVCS2512T03G9010%I |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCZ2512T03G905%A
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 3900000000ohm, 2500V, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, 2512, CHIP, ROHS COMPLIANT | HVCZ2512T03G905%A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCS2512T03G905%A
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 2W, 3.9e+09ohm, 2500V, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, 2512 | HVCS2512T03G905%A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCZ2512T03G005%A
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 3000000000ohm, 2500V, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, 2512, CHIP, ROHS COMPLIANT | HVCZ2512T03G005%A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP62T03GH
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 54A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | AP62T03GH |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP92T03GP-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | AP92T03GP-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCG2512T03G3010%I
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 3.3e+09ohm, 2500V, 10% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, 2512 | HVCG2512T03G3010%I |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP62T03GJ-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 54A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | AP62T03GJ-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCZ2512T03G481%R
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 3480000000ohm, 2500V, 1% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, 2512, CHIP, ROHS COMPLIANT | HVCZ2512T03G481%R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP72T03GJ
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | AP72T03GJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP42T03GP
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | AP42T03GP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCG2512T03G831%R
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 3830000000ohm, 2500V, 1% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, 2512 | HVCG2512T03G831%R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP92T03GH
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | AP92T03GH |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCS2512T03G605%R
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 3.6e+09ohm, 2500V, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, 2512 | HVCS2512T03G605%R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCG2512T03G9010%I
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 3.9e+09ohm, 2500V, 10% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, 2512 | HVCG2512T03G9010%I |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP92T03GI-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | AP92T03GI-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCG2512T03G005%I
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 2W, 3e+09ohm, 2500V, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, 2512 | HVCG2512T03G005%I |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCS2512T03G241%R
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 3.24e+09ohm, 2500V, 1% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, 2512 | HVCS2512T03G241%R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCB2512T03G571%R
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 3.5699999e+09ohm, 2500V, 1% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, 2512 | HVCB2512T03G571%R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP72T03GP-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | AP72T03GP-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCS2512T03G091%R
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 3.0899999e+09ohm, 2500V, 1% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, 2512 | HVCS2512T03G091%R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCB2512T03G321%R
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 3.32e+09ohm, 2500V, 1% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, 2512 | HVCB2512T03G321%R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCZ2512T03G921%R
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 3920000000ohm, 2500V, 1% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, 2512, CHIP, ROHS COMPLIANT | HVCZ2512T03G921%R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCS2512T03G3010%I
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 3.3e+09ohm, 2500V, 10% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, 2512 | HVCS2512T03G3010%I |
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