Showing 25 of 183 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2021-90S
Renesas Electronics Corporation
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1 | 50A, 60V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 | HAF2021-90S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2001
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.065ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, SC-46, 3 PIN | HAF2001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2005
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220FM, 3 PIN | HAF2005 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2025-90S
Renesas Electronics Corporation
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1 | 15A, 16V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 | HAF2025-90S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2017-90S
Renesas Electronics Corporation
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1 | 20A, 60V, 0.053ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 | HAF2017-90S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2012-90STL
Renesas Electronics Corporation
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1 | 20A, 60V, 0.065ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SC-83, LDPAK-3 | HAF2012-90STL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2021(S)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LDPAK-3 | HAF2021(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2025-90STL
Renesas Electronics Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,15A I(D),TO-252AA | HAF2025-90STL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2001-90
Renesas Electronics Corporation
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1 | 20A, 60V, 0.065ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, SC-46, 3 PIN | HAF2001-90 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2017-90L
Renesas Electronics Corporation
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1 | 20A, 60V, 0.053ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 | HAF2017-90L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2021(S)-(1)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF2021(S)-(1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2007-90L
Renesas Electronics Corporation
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1 | 5A, 60V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 | HAF2007-90L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2007(S)-2
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | HAF2007(S)-2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2012(S)-(2)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF2012(S)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2011L
Renesas Electronics
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1 | This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc. | HAF2011L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2015RJ
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8 | HAF2015RJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2017L
Renesas Electronics
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1 | This FET has the over temperature shutdown capability sensing the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shutdown circuit in the gate area. And this circuit operation to shutdown the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc. . | HAF2017L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2007
Renesas Electronics
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1 | HAF2007 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2027S
Renesas Electronics
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1 | This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc. . | HAF2027S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2017S
Renesas Electronics
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1 | This FET has the over temperature shutdown capability sensing the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shutdown circuit in the gate area. And this circuit operation to shutdown the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc. . | HAF2017S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2007-90S-E
Renesas Electronics
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1 | Support is limited to customers who have already adopted these products. | HAF2007-90S-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2015RJ-EL-E
Renesas Electronics
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1 | This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc. | HAF2015RJ-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2025-90STL-E
Renesas Electronics
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1 | Support is limited to customers who have already adopted these products. | HAF2025-90STL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2021S
Renesas Electronics
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1 | This FET has the over temperature shut–down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built–in over temperature shut–down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut–down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc. | HAF2021S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2021L
Renesas Electronics
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1 | This FET has the over temperature shut–down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built–in over temperature shut–down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut–down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc. | HAF2021L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||