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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R600CP
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R600CP |
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IPP60R520CP
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R520CP |
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IPP60R520E6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R520E6 |
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IPP60R099CPAXK
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R099CPAXK |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R160C6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23.8A I(D), 600V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R160C6XKSA1 |
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IPP60R060P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R060P7 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R190P6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R190P6XKSA1 |
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IPP60R125P6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R125P6XKSA1 |
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IPP60R037CM8
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 600V, 0.037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R037CM8 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R070CFD7XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R070CFD7XKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R125CPXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R125CPXKSA1 |
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IPP60R190E6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20.2A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R190E6 |
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IPP60R1K4C6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 600V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | IPP60R1K4C6 |
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IPP60R074C6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.074ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R074C6 |
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IPP60R120C7XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 600V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | IPP60R120C7XKSA1 |
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IPP60R040C7XKSA1
Infineon
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1 | N-Channel 600 V 50A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 | IPP60R040C7XKSA1 |
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R250CPXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R250CPXKSA1 |
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IPP60R180CM8
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R180CM8 |
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IPP60R210CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | IPP60R210CFD7 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R380E6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R380E6 |
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IPP60R170CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R170CFD7 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R360CFD7XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | IPP60R360CFD7XKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R280CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R280CFD7 |
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IPP60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R170CFD7XKSA1 |
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IPP60R120C7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 600V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | IPP60R120C7 |
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