Showing 25 of 342 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR2905ZTRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR2905ZTRR |
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IRFR2405TRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR2405TRR |
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IRFR20
International Rectifier
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1 | Transistor | IRFR20 |
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IRFR210BTF_FP001
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR210BTF_FP001 |
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IRFR2307ZTRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 75V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR2307ZTRRPBF |
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IRFR210TR
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR210TR |
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IRFR24N15DTRLPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 150V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR24N15DTRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR224TRL
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IRFR224TRL |
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IRFR2607Z
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 75V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR2607Z |
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IRFR220
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR220 |
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IRFR2605
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 55V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR2605 |
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IRFR2229A
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR2229A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR230BTF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR230BTF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR220PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR220PBF |
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IRFR222
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFR222 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR2405TRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR2405TRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR2407PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 75V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR2407PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR2405TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR2405TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR2407PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 75V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR2407PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR214TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR214TRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR210TRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR210TRLPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR220PBF-BE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR220PBF-BE3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR214TRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR214TRR |
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IRFR210TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR210TRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR2407TRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 75V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR2407TRLPBF |
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