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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R060C7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 600V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | IPP60R060C7 |
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IPP60R280P6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.8A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R280P6 |
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IPP60R1K4C6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 600V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R1K4C6XKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R040C7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 600V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R040C7 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R280P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R280P7 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R250CP
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R250CP |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R105CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R105CFD7 |
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IPP60R090CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 600V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R090CFD7 |
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IPP60R230P6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16.8A I(D), 600V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R230P6 |
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IPP60R099CS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R099CS |
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IPP60R165CPXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPP60R165CPXKSA1 |
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F200-H43-DDIPP-60
SunLight
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1 | Board Connector, 60 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, 0.079 inch Pitch, Solder Terminal, Plug | F200-H43-DDIPP-60 |
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SP001715660
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | SP001715660 |
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