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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF640NS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-2/3 | IRF640NS |
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IRF640S
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF640S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF640-030
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF640-030 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF644-009PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF644-009PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF646
Thomson Consumer Electronics
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1 | Transistor | IRF646 |
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IRF642R
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF642R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF641-012PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF641-012PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF644-003
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF644-003 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF643R
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF643R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF642-010PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF642-010PBF |
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IRF640BTSTU_FP001
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF640BTSTU_FP001 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF641-004PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF641-004PBF |
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IRF640LPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRF640LPBF |
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IRF642-001PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF642-001PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF641-013PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF641-013PBF |
0
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IRF646
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 275V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF646 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF642
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF642 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF640R
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF640R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF640-006PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF640-006PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF644
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF644 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF645
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF645 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF644-011PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF644-011PBF |
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IRF643-005
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 150V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF643-005 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF640F
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF640F |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF644-019PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF644-019PBF |
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