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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK454-200A,127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK454-200A,127 |
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BUK452-100B
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK452-100B |
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BUK455-60H
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK455-60H |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK456-1000B
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK456-1000B |
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BUK453-60B
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK453-60B |
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BUK457-600B
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK457-600B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK455-200B127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 200V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK455-200B127 |
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BUK456-100A127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK456-100A127 |
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BUK453-50A
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK453-50A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BUK453-100B,127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | BUK453-100B,127 |
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BUK457-500B
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BUK457-500B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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933955100127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 200V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 933955100127 |
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933955540127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 933955540127 |
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