Showing 25 of 1135 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9533-010PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 80V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9533-010PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9542-010
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9542-010 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9540N-017
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.117ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9540N-017 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9541-013PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 80V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9541-013PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9511-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 80V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9511-011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9521-006
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 80V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9521-006 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9520STRRPBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF9520STRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9522
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9522 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9512-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 100V, 1.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9512-011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9532-001
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9532-001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9520L
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9520L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9543-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 80V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9543-011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9512-001
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 100V, 1.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9512-001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9511
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 80V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9511 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9522-005PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 100V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9522-005PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9513-009PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 80V, 1.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9513-009PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9523
Supertex Inc
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1 | Transistor | IRF9523 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9530NSTRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9530NSTRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9522
Intersil Corporation
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1 | Transistor | IRF9522 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9542-003PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9542-003PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9521-009PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 80V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9521-009PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9533-003PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 80V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9533-003PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9540N-029
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.117ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9540N-029 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9510
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9510 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9540FX
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9540FX |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||