Showing 25 of 218 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE30-007
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE30-007 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE30-001
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 800V, 3.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE30-001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE22-003PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 1.6A, 800V, 7.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFBE22-003PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE30-007PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE30-007PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE20-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE20-011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE20PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE20PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE22-013PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE22-013PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE20-001PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE20-001PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE30SPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE30SPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE30-001PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 800V, 3.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE30-001PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE22-009
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE22-009 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE20-006
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE20-006 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE32-005PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 800V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE32-005PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE32
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 800V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE32 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE30-017PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE30-017PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE20
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE22-003
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE22-003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE30-018
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE30-018 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE30-030PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE30-030PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE32-004
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 800V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE32-004 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE20-010PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE20-010PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE22-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE22-011 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE32-005PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2.8A, 800V, 3.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFBE32-005PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE22-001PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE22-001PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE30-009
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE30-009 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||