Showing 25 of 820 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GC1802-88
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, S Band, 1.2pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt | GC1802-88 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GC1805-80
Frequency Sources
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1 | Variable Capacitance Diode, 2.2pF C(T) | GC1805-80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GC1807-30
Frequency Sources
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1 | Variable Capacitance Diode, 3.3pF C(T) | GC1807-30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GC1804-35
Frequency Sources
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1 | Variable Capacitance Diode, 1.8pF C(T) | GC1804-35 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GC1807-88
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, S Band, 3.3pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt | GC1807-88 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GC1801-88
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, S Band, 1pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt | GC1801-88 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GC1800-35
Frequency Sources
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1 | Variable Capacitance Diode, 0.8pF C(T) | GC1800-35 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GC1805-30
Frequency Sources
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1 | Variable Capacitance Diode, 2.2pF C(T) | GC1805-30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GC1800A-15
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, S Band, 0.6pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt | GC1800A-15 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GC1800A36
Frequency Sources
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1 | Variable Capacitance Diode, 0.6pF C(T) | GC1800A36 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GC1806-85
Frequency Sources
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1 | Variable Capacitance Diode, 2.7pF C(T) | GC1806-85 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GC1801-30
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to KU Band, 90V, Silicon, Abrupt | GC1801-30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-GC1802-85
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, S Band, 1.2pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt | TXB-GC1802-85 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TX-GC1803-80
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, S Band, 1.5pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt | TX-GC1803-80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TX-GC1800-89
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, S Band, 0.8pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt | TX-GC1800-89 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1210GC180KAT9A
Kyocera AVX Components
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 2000V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, 15% TC, 0.000018uF, Surface Mount, 1210 | 1210GC180KAT9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CEC12CGC1800PF10%25V
EXXELIA Group
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1 | Ceramic Capacitor, Ceramic, 25V, 10% +Tol, 10% -Tol, NP0, -/+30ppm/Cel TC, 0.0018uF, 1206, | CEC12CGC1800PF10%25V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1206GC180ZA1BE
Kyocera AVX Components
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 2000V, 80% +Tol, 20% -Tol, X7R, 15% TC, 0.000018uF, Surface Mount, 1206 | 1206GC180ZA1BE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MOFM18GC180M0N
MERITEK Electronics Corporation
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1 | CMOS Output Clock Oscillator, 180MHz Nom | MOFM18GC180M0N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCZ0805DGC180K
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.2W, 180000ohm, 600V, 0.5% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 0805 | HVCZ0805DGC180K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1206GC180MA1ME
Kyocera AVX Components
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 2000V, 20% +Tol, 20% -Tol, X7R, 15% TC, 0.000018uF, Surface Mount, 1206 | 1206GC180MA1ME |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-GC1806-85
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, S Band, 2.7pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt | TXB-GC1806-85 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CEC12CGC180PF1%500V
EXXELIA Group
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1 | Ceramic Capacitor, Ceramic, 500V, 1% +Tol, 1% -Tol, NP0, -/+30ppm/Cel TC, 0.00018uF, 1206, | CEC12CGC180PF1%500V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1210GC180MAZ9A
Kyocera AVX Components
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 2000V, 20% +Tol, 20% -Tol, X7R, 15% TC, 0.000018uF, Surface Mount, 1210 | 1210GC180MAZ9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-GC1809-80
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, S Band, 4.7pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt | TXB-GC1809-80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||