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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF511-003PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF511-003PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF511-004
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF511-004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF50SBRF511R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.5W, 511ohm, 250V, 0.1% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | MMF50SBRF511R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF1WSDRF511R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 1W, 511ohm, 350V, 0.5% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | MMF1WSDRF511R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MFR50SDRF511K
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.5W, 511000ohm, 300V, 0.5% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | MFR50SDRF511K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF50SGRF511K
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.5W, 511000ohm, 250V, 2% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | MMF50SGRF511K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF50SGRF511R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.5W, 511ohm, 250V, 2% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | MMF50SGRF511R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF50SFRF511R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.5W, 511ohm, 250V, 1% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | MMF50SFRF511R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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YC164RF5110
Synton-Tech Corp
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.1W, 511ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | YC164RF5110 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MFR2WSFRF511K
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 2W, 511000ohm, 500V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | MFR2WSFRF511K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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QRA024RF511RP10
Ever Ohms Technology Co Ltd
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Ruthenium Oxide, 0.063W, 511ohm, 25V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 0804, | QRA024RF511RP10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF207GRF511K
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.6W, 511000ohm, 250V, 2% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | MMF207GRF511K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF-50BRF511K
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.5W, 511000ohm, 350V, 0.1% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | MMF-50BRF511K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF511R
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF511R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STA034RF511KQ05
Ever Ohms Technology Co Ltd
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Ruthenium Oxide, 0.1W, 511000ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | STA034RF511KQ05 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MFR-12FRF-511R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.167W, 511ohm, 200V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | MFR-12FRF-511R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MFR50SFRF511R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.5W, 511ohm, 300V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | MFR50SFRF511R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CRA032RF5110P
Ever Ohms Technology Co Ltd
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1 | Array/Network Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.1W, 511ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 0606, | CRA032RF5110P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF511-002PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF511-002PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF1WSDRF511K
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 1W, 511000ohm, 350V, 0.5% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | MMF1WSDRF511K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF511-009
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF511-009 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF25SGRF511K
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 511000ohm, 200V, 2% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | MMF25SGRF511K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FMP-50FRF511R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.5W, 511ohm, 200V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | FMP-50FRF511R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NRC12RF5110TR
NIC Components Corp
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1 | RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.125W, 1%, 100ppm, 511ohm, SURFACE MOUNT, 0805, CHIP | NRC12RF5110TR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF511-010PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF511-010PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||