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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-C-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2N65G-C-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-CB-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2N65G-CB-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-CBS-TMS-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 9.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 2N65G-CBS-TMS-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-LC1-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 2N65G-LC1-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-CBS-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 9.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N65G-CBS-K08-5060-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-C-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2N65G-C-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 2N65G-TQ2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-TC2-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 2N65G-TC2-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-C-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2N65G-C-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-CB-TF3T-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2N65G-CB-TF3T-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-CB-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 2N65G-CB-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-C-TMS2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 2N65G-C-TMS2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-CBS-TMS4-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 9.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 2N65G-CBS-TMS4-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-TC2-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 2N65G-TC2-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-TMS4-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 2N65G-TMS4-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-C-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 2N65G-C-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-HC-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 2N65G-HC-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-TND-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 2N65G-TND-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-T6S-K
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 2N65G-T6S-K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-TMS-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 2N65G-TMS-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2N65G-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-CBS-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 9.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2N65G-CBS-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-CBS-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 9.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2N65G-CBS-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-TF3T-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2N65G-TF3T-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N65G-HC-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 2N65G-HC-TN3-R |
0
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