Showing 25 of 1577 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SA1721-R(TE85L)
Toshiba
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1 | 2SA1721 | SOT23 (3-Pin) | 2SA1721-R(TE85L) |
3
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2SA1705S-AN
onsemi
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1 | Small Signal Bipolar Transistor | Transistor Outline, Vertical | 2SA1705S-AN |
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2SA1774EBTLR
ROHM Semiconductor
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1 | ROHM 2SA1774EBTLR PNP Bipolar Transistor, -150 mA, -50 V, 3-Pin SC-89 | SO Transistor Flat Lead | 2SA1774EBTLR |
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2SA1742-AZ
Renesas Electronics
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1 | Support is limited to customers who have already adopted these products.The 2SA1742 is a power transistor developed for high-speed switching and features a high hFE at low VCE(sat). This transistor is ideal for use as a driver in DC/DC converters and actuators. In addition, a small resin-molded insulation type package contributes to high-density mounting and reduction of mounting cost. | Transistor Outline, Vertical | 2SA1742-AZ |
3
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2SA1741-AZ
Renesas Electronics
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1 | Support is limited to customers who have already adopted these products.The 2SA1741 is a power transistor developed for high-speed switching and features a high hFE at low VCE(sat). This transistor is ideal for use as a driver in DC/DC converters and actuators. In addition, a small resin-molded insulation type package contributes to high-density mounting and reduction of mounting cost. | Transistor Outline, Vertical | 2SA1741-AZ |
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2SA1774TL
ROHM Semiconductor
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1 | General Purpose Transistor (-50V, -150mA): 2SA1774 is a transistor with excellent hFE linearity. Complementary is 2SC4617. | Other | 2SA1774TL |
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2SA1757
ISC
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1 | isc Silicon PNP Power Transistor, V(BR)CEO -60V, V(BR)EBO -5V, V(BR)CBO -100V, ICBO -10μA | Other | 2SA1757 |
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2SA1774-R-TP
MCC
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1 | Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 150 mA 140MHz 150 mW Surface Mount SOT-523 | Other | 2SA1774-R-TP |
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2SA1774T1G
onsemi
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1 | Low VCE(sat), < 0.5 V; High hFE, 210-460 (typical); Available in 8 mm, 7-inch/3000 Unit Tape and Reel; These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant; S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable | SOT23 (3-Pin) | 2SA1774T1G |
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2SA1721
Toshiba
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1 | PNP Bipolar Transistor, -300 V, -0.1 A, SOT-346(S-Mini) | Other | 2SA1721 |
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2SA1774E3HZGTLQ
ROHM Semiconductor
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1 | PNP, SOT-416, -50V -150mA, General Purpose Amplification Transistor for Automotive | Other | 2SA1774E3HZGTLQ |
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2SA1707S-AN
onsemi
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1 | ON Semi 2SA1707S-AN PNP Bipolar Transistor, -3 A, -50 V, 3-Pin NMP | Transistor Outline, Vertical | 2SA1707S-AN |
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2SA1721-O(TE85L,F)
Toshiba
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1 | Toshiba 2SA1721-O(TE85L,F) PNP Bipolar Transistor, -100 mA, -300 V, 3-Pin SC-59 | Other | 2SA1721-O(TE85L,F) |
3
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2SA1746
SANKEN ELECTRIC CO.
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1 | Planer Transistor PNP Epitaxial 50V 12A FM100(TO3PF) Package | Transistor Outline, Vertical | 2SA1746 |
3
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S2SA1774G
onsemi
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1 | Low VCE(sat), < 0.5 V; High hFE, 210-460 (typical); Available in 8 mm, 7-inch/3000 Unit Tape and Reel; These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant; S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable | SOT23 (3-Pin) | S2SA1774G |
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2SA1797(RANGE:180-390)
JCET Group
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1 | 2SA1797 PNP transistor in SOT-89-3L package with -50V collector-base and collector-emitter voltage, -2A continuous collector current, low saturation voltage, high DC current gain, and 200MHz transition frequency. | 2SA1797(RANGE:180-390) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SA1721-O(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | 2SA1721-O(TE85L) | 2SA1721-O(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SA1774EB-P
ROHM Semiconductor
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | 2SA1774EB-P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SA1721RTE85L
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 100 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Small Signal | 2SA1721RTE85L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SA1789/E
ROHM Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-247, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2SA1789/E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SA1740
JCET Group
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1 | PNP transistor in SOT-89-3L package with -400V collector-base and collector-emitter breakdown voltage, -200mA continuous collector current, 500mW power dissipation, and DC current gain range of 60 to 200. | 2SA1740 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SA1726
Allegro MicroSystems LLC
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1 | Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2SA1726 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SA1780/NQ
ROHM Semiconductor
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 | 2SA1780/NQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SA1721-O(T5LMH1,F
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | 2SA1721-O(T5LMH1,F |
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2SA1797-HF
Comchip Technology Corporation Ltd
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | 2SA1797-HF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||