Showing 25 of 292 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5866TL
ROHM Semiconductor
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1 | NPN High speed switching Transistor: Various products are available in lineup developed focusing on energy-saving and high reliability as main concepts, covering from ultra-compact packages to power-packages to meet the needs in market. | SOT23 (3-Pin) | 2SC5866TL |
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2SC5876U3T106
ROHM Semiconductor
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1 | ROHM 2SC5876U3T106 NPN Transistor, 500 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 | Other | 2SC5876U3T106 |
3
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2SC5866TLR
ROHM Semiconductor
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1 | Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 2A | SOT23 (3-Pin) | 2SC5866TLR |
3
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2SC5866TLQ
ROHM Semiconductor
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1 | 1)High speed switching.\r\n(tf:Typ.:35ns at IC=2A)\r\n2)Low saturation voltage, typically\r\n(Typ.:200mV at IC=1.0A, IB=100mA)\r\n3)Storong discharge power for inductive\r\nload and capacitance load.\r\n4)Complements the 2SA2094 | SOT23 (3-Pin) | 2SC5866TLQ |
3
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2SC5825TL
ROHM Semiconductor
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1 | Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R | Other | 2SC5825TL |
2
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2SC5888
onsemi
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1 | Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING | Transistor Outline, Vertical | 2SC5888 |
3
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2SC5886A
Toshiba
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1 | NPN Bipolar Transistor, 50 V, 5 A, New PW-Mold | Other | 2SC5886A |
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2SC5819
Toshiba
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1 | NPN Bipolar Transistor, 20 V, 1.5 A, PW-Mini | Other | 2SC5819 |
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2SC5876U3HZGT106
ROHM Semiconductor
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1 | TRANS, NPN, 60V, 0.5A, 150DEG C, 0.2W | Other | 2SC5876U3HZGT106 |
3
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2SC5824T100
ROHM Semiconductor
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1 | NPN, SOT-89, 60V 3A, High Speed Switching Transistor | Other | 2SC5824T100 |
3
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2SC5876T106R
ROHM Semiconductor
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1 | ROHM - 2SC5876T106R - TRANSISTOR, NPN, 60V, 0.5A, SOT-323 | SOT23 (3-Pin) | 2SC5876T106R |
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2SC5876T106
ROHM Semiconductor
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1 | NPN High speed switching Transistor: Various products are available in lineup developed focusing on energy-saving and high reliability as main concepts, covering from ultra-compact packages to power-packages to meet the needs in market. | SOT23 (3-Pin) | 2SC5876T106 |
3
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2SC5810(TE12L,F)
Toshiba
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1 | Toshiba 2SC5810(TE12L,F) NPN Bipolar Transistor, 1 A, 50 V, 3-Pin SC-62 | Other | 2SC5810(TE12L,F) |
3
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2SC5810
Toshiba
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1 | NPN Bipolar Transistor, 50 V, 1 A, PW-Mini | Other | 2SC5810 |
3
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2SC5824
ROHM Semiconductor
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1 | NPN, SOT-89, 60V 3A, High Speed Switching Transistor | Other | 2SC5824 |
3
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2SC5886A,L1XHQ(O
Toshiba
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1 | Transistor Silicon NPN Epitaxial Type | Other | 2SC5886A,L1XHQ(O |
2
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2SC5866
ROHM Semiconductor
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1 | NPN, SOT-346T, 60V 2A, High Speed Switching Transistor | SOT23 (3-Pin) | 2SC5866 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5801-T3-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | 2SC5801-T3-A | 2SC5801-T3-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5801-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | 2SC5801-A | 2SC5801-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5886(TE16L1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,5A I(C),TO-252 | 2SC5886(TE16L1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5816S
Isahaya Electronics Corporation
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1 | Transistor | 2SC5816S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5843-FB
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, MINIMOLD, M16, 1208, 6 PIN | 2SC5843-FB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5814S
Isahaya Electronics Corporation
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1 | Transistor | 2SC5814S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5801-T3
NEC Electronics Group
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3 | 2SC5801-T3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5812
Renesas Electronics Corporation
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1 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MFPAK-3 | 2SC5812 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||