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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5876U3T106
ROHM Semiconductor
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1 | ROHM 2SC5876U3T106 NPN Transistor, 500 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 | Other | 2SC5876U3T106 |
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2SC5888
onsemi
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1 | Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING | Transistor Outline, Vertical | 2SC5888 |
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2SC5825TL
ROHM Semiconductor
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1 | Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R | Other | 2SC5825TL |
2
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2SC5866TLQ
ROHM Semiconductor
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1 | 1)High speed switching.(tf:Typ.:35ns at IC=2A)2)Low saturation voltage, typically(Typ.:200mV at IC=1.0A, IB=100mA)3)Storong discharge power for inductiveload and capacitance load.4)Complements the 2SA2094 | SOT23 (3-Pin) | 2SC5866TLQ |
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2SC5886A
Toshiba
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1 | NPN Bipolar Transistor, 50 V, 5 A, New PW-Mold | Other | 2SC5886A |
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2SC5876U3HZGT106
ROHM Semiconductor
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1 | TRANS, NPN, 60V, 0.5A, 150DEG C, 0.2W | Other | 2SC5876U3HZGT106 |
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2SC5824T100
ROHM Semiconductor
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1 | NPN, SOT-89, 60V 3A, High Speed Switching Transistor | Other | 2SC5824T100 |
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2SC5866TLR
ROHM Semiconductor
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1 | Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 2A | SOT23 (3-Pin) | 2SC5866TLR |
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2SC5886A(T6L1,NQ)
Toshiba
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1 | Bipolar Transistors - BJT NPN VCE 0.22V 95ns 400 to 1000 hFE 5A, 220mV @ 32mA, 1.6A , 400 @ 500mA, 2V , −55°C to 150°C | Other | 2SC5886A(T6L1,NQ) |
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2SC5865TL
ROHM Semiconductor
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1 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 1 A 250MHz 500 mW Surface Mount TSMT3 | Other | 2SC5865TL |
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2SC5876T106R
ROHM Semiconductor
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1 | ROHM - 2SC5876T106R - TRANSISTOR, NPN, 60V, 0.5A, SOT-323 | SOT23 (3-Pin) | 2SC5876T106R |
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2SC5876T106
ROHM Semiconductor
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1 | NPN High speed switching Transistor: Various products are available in lineup developed focusing on energy-saving and high reliability as main concepts, covering from ultra-compact packages to power-packages to meet the needs in market. | SOT23 (3-Pin) | 2SC5876T106 |
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2SC5866TL
ROHM Semiconductor
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1 | NPN High speed switching Transistor: Various products are available in lineup developed focusing on energy-saving and high reliability as main concepts, covering from ultra-compact packages to power-packages to meet the needs in market. | SOT23 (3-Pin) | 2SC5866TL |
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2SC5810(TE12L,F)
Toshiba
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1 | Toshiba 2SC5810(TE12L,F) NPN Bipolar Transistor, 1 A, 50 V, 3-Pin SC-62 | Other | 2SC5810(TE12L,F) |
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2SC5824
ROHM Semiconductor
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1 | NPN, SOT-89, 60V 3A, High Speed Switching Transistor | Other | 2SC5824 |
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2SC5886A,L1XHQ(O
Toshiba
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1 | Transistor Silicon NPN Epitaxial Type | Other | 2SC5886A,L1XHQ(O |
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2SC5866
ROHM Semiconductor
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1 | NPN, SOT-346T, 60V 2A, High Speed Switching Transistor | SOT23 (3-Pin) | 2SC5866 |
3
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2SC58A
Panasonic Electronic Components
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0 | Transistor | 2SC58A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5813
Panasonic Electronic Components
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | 2SC5813 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5851A
Hitachi Ltd
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1 | Transistor | 2SC5851A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5843-T3FB-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN | 2SC5843-T3FB-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5826TV2R
ROHM Semiconductor
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | 2SC5826TV2R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5873STPR
ROHM Semiconductor
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | 2SC5873STPR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5832
SANYO Semiconductor Co Ltd
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | 2SC5832 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5832-TL
SANYO Semiconductor Co Ltd
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | 2SC5832-TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||