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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SD669
Renesas Electronics
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1 | Silicon NPN Epitaxial | Transistor Outline, Vertical | 2SD669 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SD669
Hitachi Ltd
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | 2SD669 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SD669
Inchange Semiconductor Company Ltd
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126 | 2SD669 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SD669
JCET Group
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1 | NPN transistor in TO-126 package, designed for low frequency power amplification, with a collector current of 1.5A, collector-base voltage of 180V, and DC current gain (hFE) ranging from 60 to 320. | 2SD669 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SD669
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
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1 | Transistor | 2SD669 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SD669
Micro Commercial Components
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1 | Power Bipolar Transistor | 2SD669 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SD669
Secos Corporation
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126 | 2SD669 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SD669A
Changjiang Electronics Tech (CJ)
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1 | Transistors (NPN/PNP) NPN 1.5A 160V TO-126 RoHS | Transistor Outline, Vertical | 2SD669A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SD669A
Foshan Blue Rocket Elec
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1 | Transistors (NPN/PNP) NPN 1.5A 160V TO-126F RoHS | Transistor Outline, Vertical | 2SD669A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SD669AG-B-T6S-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2SD669AG-B-T6S-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SD669AG-B-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2SD669AG-B-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SD669L-D-T9N-B
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2SD669L-D-T9N-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SD669L-D-T60-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2SD669L-D-T60-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SD669AB-C
Secos Corporation
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126 | 2SD669AB-C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SD669AL-C-T92-K
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2SD669AL-C-T92-K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SD669L-D-T92-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Bipolar Transistor | 2SD669L-D-T92-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SD669-D-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251 | 2SD669-D-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SD669AB(TO-126)
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
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1 | Transistor | 2SD669AB(TO-126) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SD669L-D-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2SD669L-D-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SD669AL-D-T9N-B
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2SD669AL-D-T9N-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SD669G-D-T92-K
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2SD669G-D-T92-K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SD669AC(TO-126)
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126 | 2SD669AC(TO-126) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SD669G-B-T6S-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2SD669G-B-T6S-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SD669G-D-AE3-6-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2SD669G-D-AE3-6-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SD669-C-BP-HF
Micro Commercial Components
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1 | Power Bipolar Transistor | 2SD669-C-BP-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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