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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ROX2SJ47K
TE Connectivity
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1 | TE Connectivity ROX2S Series Axial Metal Film Fixed Resistor 47kΩ ±5% 2W ±300ppm/°C | Resistors, Axial Diameter Horizontal Mounting | ROX2SJ47K |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ERG-2SJ471
Panasonic
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1 | PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS - ERG-2SJ471 - RESISTOR, 470 OHM, 2W, 5%, AXIAL | Resistors, Axial Diameter Horizontal Mounting | ERG-2SJ471 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ROX2SJ470R
TE Connectivity
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1 | Body Features: Lead Type Axial-Leaded | Configuration Features: Number of Resistors 1 | Dimensions: Passive Component Dimensions 15 x 5 MM | Electrical Characteristics: Power Rating 2 WATT | Passive Component Tolerance 5 PCT | Resistance Class Up to 1kΩ | Resistance Value 470 OHM | Packaging Features: Packaging Method Ammo Packed | Product Type Features: Element Type Metal Oxide Film | Resistor Type Power Resistor | Termination Features: Number of Terminations 2 | Termination Area Base Material Copper | Us | Resistors, Axial Diameter Horizontal Mounting | ROX2SJ470R |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ERG-2SJ470
Panasonic
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1 | Panasonic 47Ω 2W Metal Film Resistor ±5% ERG-2SJ470 | Resistors, Axial Diameter Horizontal Mounting | ERG-2SJ470 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ROX2SJ470K
TE Connectivity
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1 | Body Features: Lead Type Axial-Leaded | Configuration Features: Number of Resistors 1 | Dimensions: Passive Component Dimensions 15 x 5 MM | Electrical Characteristics: Passive Component Tolerance 5 PCT | Resistance Value 470K OHM | Resistance Class 1kΩ – 1MΩ | Power Rating 2 WATT | Packaging Features: Packaging Method Ammo Packed | Product Type Features: Resistor Type Power Resistor | Element Type Metal Oxide Film | Termination Features: Number of Terminations 2 | Termination Area Base Material Copper | Resistors, Axial Diameter Horizontal Mounting | ROX2SJ470K |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ479(S)TR
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ479(S)TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ479(L)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 0.06ohm, POWER, FET, LDPAK-3 | 2SJ479(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ477-01MR
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ477-01MR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ479(S)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 0.06ohm, POWER, FET, LDPAK-3 | 2SJ479(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ479L-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ479L-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ474-01S
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 60V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ474-01S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ479(S)TL
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ479(S)TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ476-01S
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ476-01S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ471
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ471 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ473-01S
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 60V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ473-01S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ479(S)TL
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ479(S)TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ472-01S
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.85ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ472-01S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ475-01
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ475-01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ476-01L
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ476-01L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ473-01L
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 60V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | 2SJ473-01L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ471
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ471 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ472-01L
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.85ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ472-01L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ479(S)TR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ479(S)TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ471-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ471-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ479L
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ479L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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