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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ55
Hitachi Ltd
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1 | Transistor | 2SJ55 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ55
Renesas Electronics Corporation
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1 | Transistor | 2SJ55 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ554-E
Renesas Electronics
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1 | The 2SJ554 is a Pch Single Power Mosfet -60V -45A 37Mohm To-3P. | Transistor Outline, Vertical | 2SJ554-E |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ553L-E
Renesas Electronics
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1 | The 2SJ553L is a Pch Single Power Mosfet -60V -30A 37Mohm LDPAK(L)/To-262. | Transistor Outline, Vertical | 2SJ553L-E |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ555-E
Renesas Electronics
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1 | The 2SJ555 is a Pch Single Power Mosfet -60V -60A 22Mohm To-3P. | Transistor Outline, Vertical | 2SJ555-E |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ553(L)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 30A, 60V, 0.055ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 | 2SJ553(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ557-T2B-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ557-T2B-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ552(L)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 20A, 60V, 0.095ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 | 2SJ552(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ552(L)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ552(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ551(L)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ551(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ559-T2
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ559-T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ551L-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ551L-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ552(S)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 20A, 60V, 0.095ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 | 2SJ552(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ559-T1
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ559-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ550(S)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 0.155ohm, POWER, FET, LDPAK-3 | 2SJ550(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ557A-T1B
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ557A-T1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ559(0)-T1-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ559(0)-T1-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ557A-T2B-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ557A-T2B-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ559-T1-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ559-T1-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ557
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ557 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ551(S)-(2)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ551(S)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ550S-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.155ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ550S-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ559-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ559-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ552S
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ552S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ559-T1-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ559-T1-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||