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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK699
Renesas Electronics Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,2A I(D),TO-126 | 2SK699 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK690P
Panasonic Electronic Components
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1 | Transistor | 2SK690P |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK690R
Panasonic Electronic Components
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1 | Transistor | 2SK690R |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK690H
Panasonic Electronic Components
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET | 2SK690H |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK695
Renesas Electronics Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,800V V(BR)DSS,5A I(D),TO-218VAR | 2SK695 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK695
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK695 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK690
Panasonic Electronic Components
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, | 2SK690 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK690Q
Panasonic Electronic Components
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1 | Transistor | 2SK690Q |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK690TX
Panasonic Electronic Components
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET | 2SK690TX |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK693
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 13 A, 450 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power | 2SK693 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK696
Renesas Electronics Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,1KV V(BR)DSS,3A I(D),TO-247VAR | 2SK696 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK696
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK696 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK694
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 12 A, 400 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power | 2SK694 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||