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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AO3416
Alpha & Omega Semiconductors
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1 | Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 | SOT23 (3-Pin) | AO3416 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AO3413
Alpha & Omega Semiconductors
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1 | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 | SOT23 (3-Pin) | AO3413 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AO3419
Alpha & Omega Semiconductors
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1 | Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 | SOT23 (3-Pin) | AO3419 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AO3418
Alpha & Omega Semiconductors
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1 | MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23 | SOT23 (3-Pin) | AO3418 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AO3414
Alpha & Omega Semiconductors
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1 | Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 | SOT23 (3-Pin) | AO3414 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AO3415A
Alpha & Omega Semiconductors
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1 | 20V P-Channel MOSFET | SOT23 (3-Pin) | AO3415A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AO3416L
Alpha & Omega Semiconductor
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | AO3416L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AO3415A
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | P-Channel 20-V, 5-A MOSFET in SOT-23 package with RDS(on) of 35 mΩ at VGS = -10 V, suitable for load switches, PA switches, and DC/DC converters. | AO3415A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AO3418L
Alpha & Omega Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-236 | AO3418L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AO3414
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | N-channel low-voltage MOSFET in SOT-23 package with 20V drain-source voltage, 3A continuous drain current, and ultralow on-resistance of 62mΩ at 4.5V gate-source voltage. | AO3414 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AO3415
Alpha & Omega Semiconductors
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1 | P-Channel MOSFETs (8V - 60V) | AO3415 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AO3413
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | P-channel MOSFET in SOT-23 package with -20V drain-source voltage, -3A continuous drain current, and 80mΩ on-resistance at -4.5V gate-source voltage, suitable for PWM and load switch applications. | AO3413 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AO3419
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | P-Channel 20-V -5-A MOSFET with 0.035 ohm RDS(on) at VGS = -10 V, available in SOT-23 package, suitable for load switch, PA switch, and DC/DC converter applications. | AO3419 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AO3410
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | N-channel low-voltage MOSFET in SOT-23 package with 30 V drain-source voltage, 5.8 A continuous drain current at 25°C, and ultralow on-resistance of 28 mΩ at 10 V gate-source voltage. | AO3410 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AO3416
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | N-channel low-voltage MOSFET in SOT-23 package with 20V drain-source voltage, 6.5A continuous drain current, and ultralow on-resistance of 22mΩ at 4.5V gate-source voltage. | AO3416 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AO3418
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | N-channel low-voltage MOSFET in SOT-23 package with 30V drain-source voltage, 3.8A continuous drain current, and ultralow on-resistance of 55mΩ at VGS=10V, suitable for PWM and load switch applications. | AO3418 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AO3415L
Alpha & Omega Semiconductor
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | AO3415L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AO3413L
Alpha & Omega Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 0.097ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-236 | AO3413L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AO3414L
Alpha & Omega Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | AO3414L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AO3419L
Alpha & Omega Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.075ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-236 | AO3419L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AO3415
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | P-Channel 20-V, 5-A MOSFET in SOT-23 package with 0.035 ohm RDS(on) at VGS = -10 V, suitable for load switches, PA switches, and DC/DC converters. | AO3415 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AO3419
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | P-channel low-voltage MOSFET in SOT-23 package with -20V drain-source voltage, -3.5A continuous drain current, and 85mΩ on-resistance at -10V gate-source voltage, suitable for load switch applications. | AO3419 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AO3415AL
Alpha & Omega Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.054ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | AO3415AL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AO3414
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | N-Channel 20 V MOSFET in SOT-23 package with RDS(on) of 0.028 ohm at VGS = 4.5 V, continuous drain current of 6 A, and gate charge of 8.8 nC, suitable for DC/DC converters and load switch applications. | AO3414 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AO3415
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | P-channel low-voltage MOSFET in SOT-23 package with -20V drain-source voltage, -4A continuous drain current, and 41mΩ on-resistance at -4.5V gate-source voltage, suitable for load switch applications. | AO3415 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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