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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC606P
onsemi
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1 | -6 A, -12V; Fast switching speed; High power and current handling capability; RDS(on) = 26 mΩ@ VGS = -4.5 V; RDS(on) = 35 mΩ@ VGS = -2.5 V; RDS(on) = 53 mΩ@ VGS = -1.8 V | SOT23 (6-Pin) | FDC606P |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC606P
Rochester Electronics LLC
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1 | 6000mA, 12V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, SUPERSOT-6 | FDC606P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC606P
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 12V, 0.026ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | FDC606P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC606P_F095
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 12V, 0.026ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC606P_F095 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC606P_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 12V, 0.026ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | FDC606P_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC606P-NBCE003A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 12V, 0.026ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC606P-NBCE003A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC606P_NF073
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 12V, 0.026ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | FDC606P_NF073 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC606PD87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 12V, 0.026ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | FDC606PD87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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