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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGY160T65SPD-F085
onsemi
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1 | Automotive Qualified; High input impedance; Short circuit ruggedness > 6 μs @ 25 °C; Copacked with soft, fast recovery Extremefast diode; Maximum junction temperature : TJ = 175 °C; Tight parameter distribution; 100% of the parts are dynamically tested; Positive temperature Co-efficient; Very low saturation voltage : VCE(sat) = 1.6 V (Typ.) @ IC = 160 A | Transistor Outline, Vertical | FGY160T65SPD-F085 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFGY160T65SPD-B4
onsemi
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1 | AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable; Positive Temperature Co-Efficient; 100% of the Parts are Dynamically Tested; Short circuit ruggedness > 6us @ 25°C; Copacked with Soft, Fast Recovery Extremefast Diode; This Device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant; Vcesat and Vth binning | Transistor Outline, Vertical | AFGY160T65SPD-B4 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGY160T65SPD_F085
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | FGY160T65SPD_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGY160T65SPD_F085
onsemi
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1 | 650V, 160A Field Stop Trench IGBT With Soft Fast Recovery Diode, TO-247 3L, 3600-RAIL | FGY160T65SPD_F085 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGY160T65S_F085
onsemi
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0 | IGBT, 650V, 160A Field Stop, Trench With Soft Fast Recovery Diode | FGY160T65S_F085 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFGY160T65SPDB
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | AFGY160T65SPDB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFGY160T65SPDB-B4
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | AFGY160T65SPDB-B4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFGY160T65SPDA
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | AFGY160T65SPDA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFGY160T65SPDC
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | AFGY160T65SPDC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFGY160T65SPDD-B4
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | AFGY160T65SPDD-B4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFGY160T65SPDC-B4
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | AFGY160T65SPDC-B4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFGY160T65SPDD
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | AFGY160T65SPDD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFGY160T65SPDA-B4
onsemi
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | AFGY160T65SPDA-B4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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