Showing 25 of 170 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FLC252018NLCL2R2KT
King Core Electronics Inc
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1 | General Purpose Inductor, 2.2uH, 10%, 1 Element, SMD, 1008 | FLC252018NLCL2R2KT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FLC252018NLCL180KT
King Core Electronics Inc
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1 | General Purpose Inductor, 18uH, 10%, 1 Element, SMD, 1008 | FLC252018NLCL180KT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FLC253MH-6
FUJITSU Semiconductor Limited
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | FLC253MH-6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FLC252018NLCL1R0MT
King Core Electronics Inc
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1 | General Purpose Inductor, 1uH, 20%, 1 Element, SMD, 1008 | FLC252018NLCL1R0MT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FLC252018NLCL120MT
King Core Electronics Inc
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1 | General Purpose Inductor, 12uH, 20%, 1 Element, SMD, 1008 | FLC252018NLCL120MT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FLC252018NLCL1R0JT
King Core Electronics Inc
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1 | General Purpose Inductor, 1uH, 5%, 1 Element, SMD, 1008 | FLC252018NLCL1R0JT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FLC252018NLCLR68JT
King Core Electronics Inc
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1 | General Purpose Inductor, 0.68uH, 5%, 1 Element, SMD, 1008 | FLC252018NLCLR68JT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FLC252018NLCL1R8MT
King Core Electronics Inc
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1 | General Purpose Inductor, 1.8uH, 20%, 1 Element, SMD, 1008 | FLC252018NLCL1R8MT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FLC252018NLCL3R9MT
King Core Electronics Inc
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1 | General Purpose Inductor, 3.9uH, 20%, 1 Element, SMD, 1008 | FLC252018NLCL3R9MT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FLC252018NLCL8R2MT
King Core Electronics Inc
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1 | General Purpose Inductor, 8.2uH, 20%, 1 Element, SMD, 1008 | FLC252018NLCL8R2MT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FLC252018NLCL1R2MT
King Core Electronics Inc
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1 | General Purpose Inductor, 1.2uH, 20%, 1 Element, SMD, 1008 | FLC252018NLCL1R2MT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FLC252018NLCL6R8KT
King Core Electronics Inc
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1 | General Purpose Inductor, 6.8uH, 10%, 1 Element, SMD, 1008 | FLC252018NLCL6R8KT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FLC257MH-8
FUJITSU Semiconductor Limited
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | FLC257MH-8 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FLC252018NLCL390MT
King Core Electronics Inc
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1 | General Purpose Inductor, 39uH, 20%, 1 Element, SMD, 1008 | FLC252018NLCL390MT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FLC252018NLCL390KT
King Core Electronics Inc
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1 | General Purpose Inductor, 39uH, 10%, 1 Element, SMD, 1008 | FLC252018NLCL390KT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FLC252018NLCL6R8MT
King Core Electronics Inc
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1 | General Purpose Inductor, 6.8uH, 20%, 1 Element, SMD, 1008 | FLC252018NLCL6R8MT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FLC252018NLCLR56MT
King Core Electronics Inc
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1 | General Purpose Inductor, 0.56uH, 20%, 1 Element, SMD, 1008 | FLC252018NLCLR56MT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FLC257MH-6
FUJITSU Limited
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | FLC257MH-6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FLC252018NLCLR47KT
King Core Electronics Inc
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1 | General Purpose Inductor, 0.47uH, 10%, 1 Element, SMD, 1008 | FLC252018NLCLR47KT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FLC252018NLCL1R5JT
King Core Electronics Inc
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1 | General Purpose Inductor, 1.5uH, 5%, 1 Element, SMD, 1008 | FLC252018NLCL1R5JT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FLC252018NLCLR68KT
King Core Electronics Inc
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1 | General Purpose Inductor, 0.68uH, 10%, 1 Element, SMD, 1008 | FLC252018NLCLR68KT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FLC257MH-8
SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc
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1 | Transistor | FLC257MH-8 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FLC252018NLCL2R7JT
King Core Electronics Inc
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1 | General Purpose Inductor, 2.7uH, 5%, 1 Element, SMD, 1008 | FLC252018NLCL2R7JT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FLC252018NLCL3R3KT
King Core Electronics Inc
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1 | General Purpose Inductor, 3.3uH, 10%, 1 Element, SMD, 1008 | FLC252018NLCL3R3KT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FLC257MH-6
FUJITSU Semiconductor Limited
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | FLC257MH-6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||