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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQAF6N80
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 800V, 1.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQAF6N80 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQAF6N80
Rochester Electronics LLC
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1 | 4.4A, 800V, 1.95ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3PF, 3 PIN | FQAF6N80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQAF6N90
Rochester Electronics LLC
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1 | 4.5A, 900V, 1.9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3PF, 3 PIN | FQAF6N90 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQAF6N70
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.74A I(D), 700V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQAF6N70 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQAF6N90
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 900V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQAF6N90 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQAF65N06
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 60V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQAF65N06 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||