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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GCH20A09
KYOCERA Corporation
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 90V V(RRM), Silicon, TO-220AB | GCH20A09 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GCH20A10
Nihon Inter Electronics Corporation
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB | GCH20A10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GCH20A10
KYOCERA Corporation
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB | GCH20A10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GCH20A09
Nihon Inter Electronics Corporation
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 90V V(RRM), Silicon, TO-220AB | GCH20A09 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GCH20E10
KYOCERA Corporation
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB | GCH20E10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRGCH20SE
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel | IRGCH20SE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRGCH20SEPBF
International Rectifier
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel | IRGCH20SEPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRGCH20SEPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel | IRGCH20SEPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRGCH20SE
International Rectifier
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel | IRGCH20SE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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