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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HES188
Bowei Integrated Circuits Co Ltd
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1 | Wide Band Low Power Amplifier | HES188 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HES188A
Bowei Integrated Circuits Co Ltd
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1 | Wide Band Low Power Amplifier | HES188A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP84N04MHE-S18-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 40V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | NP84N04MHE-S18-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP40N055MHE-S18-AY
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 55V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | NP40N055MHE-S18-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP48N055NHE-S18-AY
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 55V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | NP48N055NHE-S18-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP84N055MHE-S18-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 55V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | NP84N055MHE-S18-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP40N055NHE-S18-AY
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 55V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | NP40N055NHE-S18-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP48N055MHE-S18-AY
NEC Electronics America Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 55V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, MP-25K, TO-220, 3 PIN | NP48N055MHE-S18-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP82N055MHE-S18-AY
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 55V, 0.0086ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | NP82N055MHE-S18-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP48N055NHE-S18-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 55V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | NP48N055NHE-S18-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP84N055NHE-S18-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 55V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | NP84N055NHE-S18-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CCE-PCI-HES-182-SG
Central Components Manufacturing
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1 | Card Edge Connector, 182 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, 0.05 inch Pitch, Surface Mount Terminal, Receptacle | CCE-PCI-HES-182-SG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CCE-PCI-HES-18-SG
Central Components Manufacturing
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1 | Card Edge Connector, 18 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, 0.05 inch Pitch, Solder Terminal, Receptacle | CCE-PCI-HES-18-SG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP84N04NHE-S18-AY
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 40V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | NP84N04NHE-S18-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP80N04NHE-S18-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | NP80N04NHE-S18-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP88N055NHE-S18-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 55V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | NP88N055NHE-S18-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP86N04MHE-S18-AY
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 86A I(D), 40V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | NP86N04MHE-S18-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP80N04MHE-S18-AY
NEC Electronics America Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, MP-25K, TO-220, 3 PIN | NP80N04MHE-S18-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP84N04NHE-S18-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 40V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | NP84N04NHE-S18-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP86N04MHE-S18-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 86A I(D), 40V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | NP86N04MHE-S18-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP82N055NHE-S18-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 55V, 0.0086ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | NP82N055NHE-S18-AY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP88N04NHE-S18-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 40V, 0.0043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | NP88N04NHE-S18-AY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP80N04NHE-S18-AY
NEC Electronics America Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, LEAD FREE, MP-25SK, TO-262, 3 PIN | NP80N04NHE-S18-AY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP80N04MHE-S18-AY
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | NP80N04MHE-S18-AY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP88N055MHE-S18-AY
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 55V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | NP88N055MHE-S18-AY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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