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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPC26N12NRX1SA1
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | IPC26N12NRX1SA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPC26N12NR
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | IPC26N12NR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPC26N12NX2SA1
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 120V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPC26N12NX2SA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPC26N10NR
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | IPC26N10NR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPC26N10NRX1SA1
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | IPC26N10NRX1SA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPC26N12NX1SA1
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 120V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPC26N12NX1SA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPC26N12N
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 120V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPC26N12N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIPC26N60S5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIPC26N60S5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIPC26N60C2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIPC26N60C2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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