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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD048N06L3GATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 60 V 90A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-311 | Other | IPD048N06L3GATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD046N08N5ATMA1
Infineon
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1 | MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS | Other | IPD046N08N5ATMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD042P03L3GATMA1
Infineon
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1 | MOSFET TRENCH <= 40V | Other | IPD042P03L3GATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD048N06L3GBTMA1
Infineon
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1 | N-Channel MOSFET, 90 A, 60 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD048N06L3GBTMA1 | Other | IPD048N06L3GBTMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD047N03LF2SATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 30 V 71A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 | Other | IPD047N03LF2SATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD040N03L G
Infineon
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1 | Infineon IPD040N03L G N-channel MOSFET Transistor, 90 A, 30 V, 3-Pin TO-252 | Other | IPD040N03L G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD040N03L_G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 | Other | IPD040N03L_G |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD04N03L
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPD04N03L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD04N03LAG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 25V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD04N03LAG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD046N08N5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 80V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD046N08N5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD040N03LG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 89A I(D), 30V, 0.0059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD040N03LG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD042P03L3GBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 30V, 0.0068ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD042P03L3GBTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD040N03LGBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 89A I(D), 30V, 0.0059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD040N03LGBTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD042P03L3GXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 30V, 0.0068ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD042P03L3GXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD040N03LGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 89A I(D), 30V, 0.0059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD040N03LGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD04N03LBG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD04N03LBG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD04N03LBG
Rochester Electronics LLC
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1 | 50A, 30V, 0.0058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, GREEN, PLASTIC, TO-252, 3 PIN | IPD04N03LBG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD040N03LGHF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 89A I(D), 30V, 0.0059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD040N03LGHF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD048N06L3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD048N06L3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD048N06L3GXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD048N06L3GXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD04N03LA
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 25V, 0.0059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD04N03LA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD042P03L3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 30V, 0.0068ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD042P03L3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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