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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF550AJ69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF550AJ69Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF550A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF550A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF550A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF550A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||