Showing 25 of 114 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9110
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 100V, 1.38ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE9110 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9024PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 60V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE9024PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9210E4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 1.3A, 200V, 3.45ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 | IRFE9210E4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9210-JQR-BE4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 1.3A, 200V, 3.45ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 | IRFE9210-JQR-BE4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9120SCVPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE9120SCVPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9130
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFE9130 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9130-JQRE4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFE9130-JQRE4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9220SCX
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 200V, 1.725ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE9220SCX |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9220SCV
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 200V, 1.725ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE9220SCV |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9110-JQR-BE4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 100V, 1.38ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-14 | IRFE9110-JQR-BE4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9230PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.68ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC-18 | IRFE9230PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9220
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 200V, 1.725ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE9220 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9210E4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 200V, 3.45ohm, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 | IRFE9210E4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9220SCXPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 200V, 1.725ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE9220SCXPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9120-JQR-BE4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC4-18 | IRFE9120-JQR-BE4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9230
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.68ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC-18 | IRFE9230 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9130-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 6.1A, 100V, 0.345ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFE9130-JQR-B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9220SCSPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 200V, 1.725ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE9220SCSPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9130-QR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFE9130-QR-B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9210PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 200V, 3.45ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE9210PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9110
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 100V, 1.38ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE9110 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9220-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 2.1A, 200V, 1.725ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 | IRFE9220-JQR-B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE9024PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 60V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE9024PBF |
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IRFE9110E4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 2.2A, 100V, 1.38ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, LCC-14 | IRFE9110E4 |
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IRFE9130-JQRE4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 6.1A, 100V, 0.345ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFE9130-JQRE4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||