Showing 25 of 119 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL3502-017
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 20V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3502-017 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL3502STRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 20V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRL3502STRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL3502-004PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 20V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3502-004PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL3502-002PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 20V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3502-002PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL3502-009PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 20V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3502-009PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL3502STRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 20V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRL3502STRR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL3502-002
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 20V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3502-002 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL3502LPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 20V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3502LPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL3502-012
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 20V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3502-012 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL3502LPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 20V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3502LPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL3502-012
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 20V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3502-012 |
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IRL3502-005PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 20V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3502-005PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL3502-005
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 20V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3502-005 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL3502-013PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 20V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3502-013PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL3502-019PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 20V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3502-019PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL3502-015
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 20V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3502-015 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL3502-024
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 20V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3502-024 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL3502
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 20V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3502 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL3502-017PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 20V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3502-017PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL3502-019
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 20V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3502-019 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL3502-004PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 20V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3502-004PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL3502-024PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 20V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3502-024PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL3502-031PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 20V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3502-031PBF |
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IRL3502-029PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 20V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL3502-029PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL3502STRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 20V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRL3502STRLPBF |
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