Showing 15 of 15 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MTE24
Adam Technologies Inc
|
1 | Board Connector, 24 Contact(s), 1 Row(s), Female, 0.1 inch Pitch, Crimp Terminal, Locking, Plug | MTE24 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ241SMTE24L
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ241SMTE24L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SK1792SMTE24L
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1792SMTE24L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SK1928SMTE24L
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1928SMTE24L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SK1865SMTE24L
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1865SMTE24L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TS500GMTE240S
Transcend Information Inc
|
1 | 500GX8, PDMA75 | TS500GMTE240S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
U10FWJ2C48M(TE24L)
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Rectifier Diode, Schottky, 10A, 30V V(RRM) | U10FWJ2C48M(TE24L) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TS1TMTE240S
Transcend Information Inc
|
1 | 1TX8, PDMA75 | TS1TMTE240S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ312SMTE24L
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ312SMTE24L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SK1928SMTE24R
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1928SMTE24R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
U20FWJ2C48M(TE24L)
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Rectifier Diode, Schottky, 20A, 30V V(RRM) | U20FWJ2C48M(TE24L) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SK1792SMTE24R
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1792SMTE24R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SK1865SMTE24R
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1865SMTE24R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ312SMTE24R
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ312SMTE24R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ241SMTE24R
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ241SMTE24R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||