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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTE21
NTE Electronics Inc
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | NTE21 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTE219
NTE Electronics Inc
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1 | Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin | NTE219 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTE21256
NTE Electronics Inc
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1 | Page Mode DRAM, 256KX1, 150ns, NMOS, PDIP16 | NTE21256 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTE2102
NTE Electronics Inc
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1 | Standard SRAM, 1KX1, 350ns, NMOS, PDIP16 | NTE2102 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTE213
NTE Electronics Inc
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1 | Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-36, Metal, 2 Pin | NTE213 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTE2114
NTE Electronics Inc
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1 | Standard SRAM, 1KX4, 300ns, NMOS, PDIP18 | NTE2114 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTE216
NTE Electronics Inc
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1 | Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-237AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin | NTE216 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTE218
NTE Electronics Inc
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1 | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin | NTE218 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTE211
NTE Electronics Inc
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 75V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-202, Plastic/Epoxy, 3 Pin | NTE211 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTE21128
NTE Electronics Inc
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1 | UVPROM, 16KX8, 250ns, NMOS, DIP28 | NTE21128 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTE219MCP
NTE Electronics Inc
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1 | Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 70V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin | NTE219MCP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTE2147
NTE Electronics Inc
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1 | Standard SRAM, 4KX1, 55ns, CMOS, PDIP18 | NTE2147 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTE2117
NTE Electronics Inc
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1 | Page Mode DRAM, 16KX1, 200ns, MOS, PDIP16 | NTE2117 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTE2164
NTE Electronics Inc
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1 | Page Mode DRAM, 64KX1, 150ns, CMOS, PDIP16 | NTE2164 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTE217
NTE Electronics Inc
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-237AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin | NTE217 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTE2107
NTE Electronics Inc
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1 | DRAM | NTE2107 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTE2128
NTE Electronics Inc
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1 | SRAM | NTE2128 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTE214
NTE Electronics Inc
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | NTE214 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTE2104
NTE Electronics Inc
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1 | Memory IC | NTE2104 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTE210
NTE Electronics Inc
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 75V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-202, Plastic/Epoxy, 3 Pin | NTE210 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTE215
NTE Electronics Inc
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | NTE215 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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