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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TIP41A
MOSPEC
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1 | Silicon power transistor, TO-220 | Transistor Outline, Vertical | TIP41A |
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XP162A12A6PR
Torex
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1 | Power MOSFET | Other | XP162A12A6PR |
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FDFMA2P857
onsemi
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1 | TRANSISTOR ARRAY, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel + Schottky; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:3A; On Resistance Rds(on):0.09ohm; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V RoHS Compliant: Yes | Other | FDFMA2P857 |
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MP1613
GPD OPTOELECTRONICS CORP
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1 | GERMANIUM PNP DAP TRANSISTOR TO-3 5mA | Other | MP1613 |
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2SD5703
Inchange
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1 | High Breakdown Voltage- : VCBO= 1500V (Min) ·High Switching Speed ·High Reliability ·Minimum Lot-to | Transistor Outline, Vertical | 2SD5703 |
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2N2222
Infineon
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1 | NPN Silicon Planar Transistor | Other | 2N2222 |
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RJE0616JSP-00#J0
Renesas Electronics
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1 | This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc. . | Small Outline Packages | RJE0616JSP-00#J0 |
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BC109C
Multicomp Pro
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1 | MULTICOMP PRO BC109CBipolar (BJT) Single Transistor, Low Noise, NPN, 25 V, 200 mA, 600 mW, TO-18, Through Hole | Other | BC109C |
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2N3440
Multicomp Pro
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1 | TRANSISTOR, NPN, TO-39 | Other | 2N3440 |
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NSVT3906DXV6T1G
onsemi
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1 | Dual PNP Bipolar Transistor | SO Transistor Flat Lead | NSVT3906DXV6T1G |
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SMPU309
InterFET
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1 | JFET N-Channel -25V Low Noise | SOT23 (3-Pin) | SMPU309 |
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BC108
Multicomp Pro
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1 | NPN Silicon Planar Transistors, NPN, 25V, 150MHz, 600mW, 200mA, 110hFE | Other | BC108 |
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P4F60HP2-5600
Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd.
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1 | Power MOSFETs 600V, 4A,N-channel・High Voltage・High Speed Switching・Low Capacitance・High Avalanche Durability, High di/dt Durability・Pb free terminal・RoHS:Yes | Other | P4F60HP2-5600 |
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AO3423
Alpha & Omega Semiconductors
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1 | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | SOT23 (3-Pin) | AO3423 |
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TIP142
Comset
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1 | Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 10 A, 125 W, TO-247, Through Hole | Transistor Outline, Vertical | TIP142 |
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AC187
Germanium Power Devices Corporation
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1 | Germanium small signal transistor package TO-1 power dissipation 1000MW, Ic 300mA, VCBO 25 V | Other | AC187 |
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2SC3199
KEC
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1 | NPN transistor for audio/AM amplifiers, 50 V Vceo, 150 mA Ic, hFE 70–700, NF 1 dB typ, 200 mW Pd, complementary to 2SA1267. | Other | 2SC3199 |
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BD861
Infineon
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1 | NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS | Transistor Outline, Vertical | BD861 |
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BD303
Inchange Semiconductor
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1 | isc Silicon NPN Power Transistor DC Current Gain - : hFE = 30(Min.)@ IC= 2A ·Co. | Transistor Outline, Vertical | BD303 |
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2SA1721-R(TE85L)
Toshiba
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1 | 2SA1721 | SOT23 (3-Pin) | 2SA1721-R(TE85L) |
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AO4455
Alpha & Omega Semiconductors
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1 | Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC | Small Outline Packages | AO4455 |
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3DD207
ISC
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1 | isc Silicon NPN Power Transistor, VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 3A; IB= 0.3A 1.0 V, ICBO 0.5mA, IEBO 0.1mA | Other | 3DD207 |
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CMBT9015
CONTINENTAL DEVICE INDIA LTD
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1 | SOT-23 Formed SMD Package | SOT23 (3-Pin) | CMBT9015 |
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2SA1266
KEC
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1 | SILICON PNP TRANSISTOR (Pc): 0.4 W, |Vcb|: 50 V, |Ic max|: 0.15 A, (Tj): 125 °C, (ft): 130 MHz | Other | 2SA1266 |
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BC847C/AU,215
Nexperia
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1 | BC847 series - 45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors | Other | BC847C/AU,215 |
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