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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67041-A4684-A001
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES | Q67041-A4684-A001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67041-A4664-A002
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES | Q67041-A4664-A002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67042-S4403
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | Q67042-S4403 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67040-S4199
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | Q67040-S4199 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67040-S4353
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 800V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | Q67040-S4353 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67040-S4421
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 600V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | Q67040-S4421 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67040-S4630
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | Q67040-S4630 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67041-A4704-A003
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES | Q67041-A4704-A003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67040-S4397
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | Q67040-S4397 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67041-A4672-A002
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES | Q67041-A4672-A002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67040-S4354
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 800V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | Q67040-S4354 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67040-S4594
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 9.6A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | Q67040-S4594 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67041-A4688-A001
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES | Q67041-A4688-A001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67041-S2856-A001
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES | Q67041-S2856-A001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67041-A4667-A001
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES | Q67041-A4667-A001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67040-S4447
Infineon Technologies AG
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 300V V(RRM), Silicon Carbide, TO-220AC | Q67040-S4447 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67040-S4446
Infineon Technologies AG
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 6A, 600V V(RRM), Silicon Carbide, TO-220AC | Q67040-S4446 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67040-S4393
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 600V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | Q67040-S4393 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67040-S4631
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | Q67040-S4631 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67040-S4571
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | Q67040-S4571 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67041-S2856-A002
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES | Q67041-S2856-A002 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67040-S4371
Infineon Technologies AG
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 6A, 600V V(RRM), Silicon Carbide, TO-220AB | Q67040-S4371 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67040-S4398
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | Q67040-S4398 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67040-S4410
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | Q67040-S4410 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Q67040-S4395
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | Q67040-S4395 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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