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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RD00HVS1
Mitsubishi Electric
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RD00HVS1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RD00HHS1
Mitsubishi Electric
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RD00HHS1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RD00HVS1-101,T113
Mitsubishi Electric
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RD00HVS1-101,T113 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RD00HVS1-T113
Mitsubishi Electric
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RD00HVS1-T113 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RD00HHS1-101,T113
Mitsubishi Electric
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RD00HHS1-101,T113 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RD00HVS1-101
Mitsubishi Electric
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RD00HVS1-101 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RD00HHS1-T113
Mitsubishi Electric
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RD00HHS1-T113 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RD00HHS1-101
Mitsubishi Electric
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RD00HHS1-101 |
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