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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP4N05L
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFP4N05L |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFP4N35
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFP4N35 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFP4N06L
General Electric Solid State
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1 | Transistor | RFP4N06L |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFP4N35
General Electric Solid State
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1 | Transistor | RFP4N35 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFP4N06
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFP4N06 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFP4N06L
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFP4N06L |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFP4N05
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFP4N05 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFP4N05
General Electric Solid State
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1 | Transistor | RFP4N05 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFP4N40
General Electric Solid State
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1 | Transistor | RFP4N40 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFP4N100
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Trans MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | RFP4N100 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFP4N05L
General Electric Solid State
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1 | Transistor | RFP4N05L |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFP4N06
General Electric Solid State
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1 | Transistor | RFP4N06 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFP4N40
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFP4N40 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFP4N40
Intersil Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,4A I(D),TO-220AB | RFP4N40 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFP4N100
Renesas Electronics
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0 | ER - Transistor, MOSFET, N Ch | RFP4N100 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFP4N06L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | RFP4N06L |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFP4N05
Rochester Electronics LLC
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1 | 4A, 50V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | RFP4N05 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFP4N35
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 350V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | RFP4N35 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFP4N05L
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 50V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP4N05L |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFP4N100
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 1000V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP4N100 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFP4N05
Intersil Corporation
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1 | 4A, 50V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | RFP4N05 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFP4N05L
Intersil Corporation
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1 | 4A, 50V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | RFP4N05L |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFP4N40
Rochester Electronics LLC
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1 | 4A, 400V, 2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | RFP4N40 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFP4N06
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP4N06 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RFP4N100
Intersil Corporation
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1 | 4.3A, 1000V, 3.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | RFP4N100 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||