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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4090DY-T1-GE3
Vishay
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1 | Vishay SI4090DY-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 19.7 A, 100 V, 8-Pin SOIC | Small Outline Packages | SI4090DY-T1-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4090DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19.7A I(D), 100V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, MS-012AA | SI4090DY-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4090BDY-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18.7A I(D), 100V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4090BDY-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MSI-40943G
Proterial Ltd
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1 | Isolator, 925MHz Min, 960MHz Max | MSI-40943G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MSI-40*943G
Proterial Ltd
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1 | Isolator, 925MHz Min, 960MHz Max | MSI-40*943G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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LSI40909G-S
LSI Corporation
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1 | Micro Peripheral IC | LSI40909G-S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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