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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4982DY-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4982DY-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4980DY
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4980DY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4982DY-T1
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 100V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4982DY-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4980DY-T1-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4980DY-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4982DY
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 100V, 0.15ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4982DY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4980DY
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4980DY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4980DY
Temic Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 80V, 0.075ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4980DY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4982DY-T1
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 100V, 0.15ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4982DY-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4980DY-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 80V, 0.075ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4980DY-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4982DY-T1-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 100V, 0.15ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | SI4982DY-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4982DY
Temic Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 100V, 0.15ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4982DY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4982DY
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 100V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4982DY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4980DY-T1
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4980DY-T1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4982DY-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 100V, 0.15ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4982DY-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4980DY-T1
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 80V, 0.075ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4980DY-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4982DY-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 100V, 0.15ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4982DY-T1-E3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||