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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHP33N60E-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SIHP33N60E-GE3 |
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SIHP38N60E-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 600V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SIHP38N60E-GE3 |
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SIHP30N60E-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SIHP30N60E-GE3 |
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SIHP35N60E-BE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 600V, 0.094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SIHP35N60E-BE3 |
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SIHP30N60AEL-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 600V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHP30N60AEL-GE3 |
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SIHP30N60E-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor | SIHP30N60E-GE3 |
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SIHP35N60EF-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 600V, 0.097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SIHP35N60EF-GE3 |
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SIHP30N60E-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SIHP30N60E-E3 |
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SIHP38N60EF-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 600V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SIHP38N60EF-GE3 |
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SIHP30N60E-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SIHP30N60E-E3 |
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SIHP35N60E-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 600V, 0.094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SIHP35N60E-GE3 |
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SIHP33N60EF-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 600V, 0.098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SIHP33N60EF-GE3 |
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