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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSH8N80A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 800V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSH8N80A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSH8N70
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 700V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSH8N70 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSH8N90A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 900V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSH8N90A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSH8N80
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSH8N80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSH8N55
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 550V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSH8N55 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSH8N80
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSH8N80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSH8N60
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSH8N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSH8N90A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 900V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSH8N90A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSH8N80A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 800V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSH8N80A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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