Showing 16 of 16 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSP1N60
FAIRCHILD INDUSTRIAL
|
1 | 600V N-Channel MOSFET | Transistor Outline, Vertical | SSP1N60 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SSP1N55
Samsung Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 550V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SSP1N55 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SSP1N50A
Samsung Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 500V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SSP1N50A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SSP1N60
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SSP1N60 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SSP1N50BJ69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 500V, 5.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSP1N50BJ69Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SSP1N60B
Rochester Electronics LLC
|
1 | 1A, 600V, 12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | SSP1N60B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SSP1N60B
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SSP1N60B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SSP1N60A
Samsung Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SSP1N60A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SSP1N60
Samsung Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SSP1N60 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SSP1N50B
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 520V, 5.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SSP1N50B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SSP1N60A
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SSP1N60A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SSP1N60BJ69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSP1N60BJ69Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SSP1N60A
Rochester Electronics LLC
|
1 | 1A, 600V, 12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | SSP1N60A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SSP1N50AJ69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 500V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SSP1N50AJ69Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SSP1N60AJ69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SSP1N60AJ69Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SSP1N50A
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 500V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SSP1N50A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||