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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8303TE12L
Toshiba America Electronic Components
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0 | TPC8303TE12L | TPC8303TE12L |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8305TE12L
Toshiba America Electronic Components
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0 | TPC8305TE12L | TPC8305TE12L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8302(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8302(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8305(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,5A I(D),SO | TPC8305(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8301
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.19ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8301 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8303
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 0.065ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8303 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8301(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.19ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8301(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8305
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 0.08ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8305 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8302
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.17ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8302 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8303(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8303(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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